172纳米真空紫外光刻-表面处理系统π2-CYGNI
采用独特的172纳米波长，专有的光源技术兼具高功率，以及超乎寻常的均匀性和多功能性，高效能且紧凑的模块化设计。这些革命性的实现都由引入π2-CYGNI系列真空紫外光处理系统开始。
172纳米 全新光处理体系
传统172 nm光源的低输出功率阻碍了该波长在研究和生产中的广泛应用。 π2-CYGNI 克服了这一障碍，并展示了172 nm 的真正实力- 全新化学驱动，反应方式和处理技术。 紫外线不仅仅用于光刻和固化！
全新功率驱动
紫外线弧光灯能提供高平均功率， 准分子紫外线源提供高光子通量。 π2-CYGNI 提供高平均功率和高光子通量- 无需有源或外部冷却。 把高功率和高光子通量这种独特组合，封装
在手掌大的盒子中，实现其他光源无法完成的大面积反应和
处理。
全新弧光技术
每套 π2-CYGNI系统的核心是它超薄的（<4 mm）平面微腔放电灯。 与传统的弧光放电灯相比，这种广域照射产生了卓越的均匀性，同时又消除了对复杂聚光，准直和均化等光学器件的要求。
绿色环保的紫外线(UV)
在π2-CYGNI系统之前，产生紫外线通常意味着产生有毒物质，低转换率和高设备成本。 π2-CYGNI 通过环保且节能的解决方案突破这些障碍。 π2-CYGNI 的制造和使用过程不使用有毒材料，在生产中使用π-CYGNI 可以减少化学材料和水的消耗。 有效的降低使用成本，仅是使用其他172 nm光源成本的一小部分。
π2-CYGNI 消除了对特定光刻胶化学物质的需求，由于172nm光具有高能量（每光子7 . 2eV），现在几乎可以将任何有机聚合物用作光刻胶！π2-CYGNI 的172 nm波长可实现更高分辨率的成像，使用简单廉价的光刻胶可以消除传统DNQ光刻胶产生的碱废物。
新型，新的可能性
重新定位传统的光刻胶。 由于曝光机制的特性，不再需要光敏剂。 简而言之，π2-CYGNI 可以分解有机聚合物链，直到它们挥发和蒸发。 此过程是通用的- 几乎所有有机聚合物现在都可以用作光刻胶，即使是固体形态也可以。
干/正/负处理-由您决定！
由于有机膜质量减少，在曝光期间产生图像，因此消除了对单独显影步骤的需要。 由此产生的高对比度足以用于其他过程，从而减少了处理时间并减少了废物的生成。为了满足更苛刻的应用，可以在曝光后对有机聚合物进行进一步处理以提高分辨率。 但是，与传统光刻胶不同，色调（正或负）由显影液而不是敏化剂决定。 除了减少质量和蒸发外，由于链长减少，在曝光过程中聚合物中也会发生交联。 这种交联改变了聚合物在特定溶剂中的溶解度-醇基显影液产生正图像，而丙酮和类似溶剂产生负图像。
无与伦比的单曝光分辨率波长越短=分辨率越高，与I 线光刻相比，π2-CYGNI 可以将分辨率提高5 0％
光刻(曝光)举例
应用举例
特点：
• 新一代紫外波长：172 nm
• 专有光源技术：平面微腔阵列发光
• 同类最佳的输出强度: >10mW/cm2
• 无需光刻胶，可对几乎所有有机聚合物直接曝光
• 无需超净间，无需预热，无需冷却，无需复杂培训，几乎"零"维护
• 杰出的光束均匀度：可用光圈的3％
• 寿命长：3000小时曝光，曝光高达60,000次(3 分钟/次), 使用可达10年
• 绿色技术：无汞等有毒易燃气体和物质； 高电-光转换率，节能省电；
- •小巧、方便、耐用
- 应用
-
• 高分辨率光刻
• 表面处理，如下：
低损伤原子级表面清洁表面能改性
增强薄膜亲水性
光烧蚀
光解/光催化过程表面能改性
臭氧产生
参数：
输出强度 >10 mW/cm2
透明孔径上的强度均匀性 < 3%
峰值输出波长 172 nm
半峰全宽(FWHM) 8.9 nm
光发射面积 43 mm x 43 mm
预热时间（从0到95％） < 2 s
光刻(曝光)材料尺寸 3“ (75 mm x 75 mm)
掩膜版和曝光材料总厚度(最大) 5 mm
直流输入电压 12 V
电源输入电压 110-220 V / 50-60 Hz
氮气/氩气流速* 0.5-1 SCFM
寿命 > 5000 hours
功耗 <25W
-
