HM-LJS20T高真空磁控离子溅射仪（可定制）

功能及应用领域：

用于制备各种金属薄膜、硅、碲和部分氧化物薄膜如ITO、AZO等，多应用于电镜制样、各种电极制备、微电子器件、功能陶瓷等

技术参数：

外形尺寸：424×345×420mm

供电电源：220V/800W

可用靶材：各种金属、硅、碲和ITO、AZO等部分氧化物靶材

溅射电流：2-200mA

溅射时间：1-4000s

真空系统：涡轮分子泵+旋片泵（可选配涡旋干泵或隔膜泵）

极限真空：≤5×10-3Pa

抽气节拍：≤5分钟

样品台直径：φ125mm

样品台转速：4-20rpm

人机界面：7英寸TFT彩色触摸屏

预溅射挡板：全自动控制

保护功能：过流保护、真空保护、分子泵过热保护等

真空室：φ200×130mm

工作介质：高纯氩气（≥4N）

选配：膜厚监控模块，可精确控制镀膜厚度样品台加热与温控

产品特点：

实际放大30万倍时无颗粒感，无热损伤，非常适宜高分辨观测

一键操作、全自动控制、使用体验好

可镀各种金属、硅、碲等和ITO、AZO等氧化物薄膜

内置超过20种靶材的镀膜工艺，可直接使用，无需工艺摸索

结构紧凑，占用空间小，对安装场地没有要求